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STB12NM50ND中文资料

厂家型号

STB12NM50ND

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584.84Kbytes

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13

功能描述

N-channel 500 V, 0.29 廓, 11 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode), D2PAK, DPAK

MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STB12NM50ND数据手册规格书PDF详情

Description

FDmesh™ technology combines the MDmesh™ features with an intrinsic fast-recovery body diode. The resulting product has reduced on resistance and fast switching commutations, making it especially suitable for bridge topologies where low trr is required.

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

STB12NM50ND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB12NM50ND

  • 功能描述

    MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 8:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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STB12NM50ND 价格

参考价格:¥12.0062

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