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STB12NM60N中文资料
STB12NM60N数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.41Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
STB12NM60N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB12NM60N
- 功能描述
MOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-6-19 20:25:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO263 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
ST |
24+ |
TO-263 |
7500 |
||||
ST |
24+ |
TO-263(2引线 |
387 |
原装现货假一罚十 |
|||
STMicro. |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原装优势 |
|||
ST |
2020+ |
TO263 |
100 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
ST |
2018+ |
TO263 |
6528 |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
|||
ST |
25+23+ |
TO263 |
73559 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
ST |
24+ |
TO263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
STM |
1809+ |
TO-263 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
STB12NM60N 价格
参考价格：￥15.2498
型号：STB12NM60N 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STB12NM60N多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STB12NM60N批发/采购报价，STB12NM60N行情走势销售排排榜，STB12NM60N报价。
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26653条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
