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SCTWA60N120G2-4中文资料

厂家型号

SCTWA60N120G2-4

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12

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

SCTWA60N120G2-4数据手册规格书PDF详情

Features

• Very fast and robust intrinsic body diode

• Extremely low gate charge and input capacitance

• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

• Source sensing pin for increased efficiency

Applications

• Switching mode power supply

• DC-DC converters

• Industrial motor control

更新时间:2025-10-5 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
21+
50
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
STMicroelectronics
23+
HIP247-4
3652
原厂正品现货供应SIC全系列
STMicroelectronics
2025
4680
全新、原装
ST(意法半导体)
24+
TO-247-4
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ST
2024+
N/A
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20000
原装现货,可追溯原厂渠道
ST(意法半导体)
20+
TO-247-4
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3000
原装现货
24+
N/A
52000
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ST/意法半导体
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