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BIDW50N65T	BIDW50N65TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW50N65TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
IGB50N65	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.7V@IC=50A ·HighSpeedSmoothSwitchingDeviceForHard &SoftSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MIW50N65F	TrenchandFieldStopIGBT650V50A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
MIW50N65F-BP	TrenchandFieldStopIGBT650V50A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
HMG50N65T	650V/50ATrenchFieldStopIGBT 文件：1.24913 Mbytes Page：8 Pages	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

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更新时间：2024-6-24 18:04:01

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2019-12-25

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