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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
ADM30P06E	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Fast Switching ● High Power and current handing capability ● Green Device Available Description: The ADM30P06E is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.provide super	ADV 爱德微	ADV
MTB30P06	TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM TMOS V is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50 and 60 volt TMOS devices. Just as with our TMOS	Motorola 摩托罗拉	Motorola
30P06	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：971.54 Kbytes Page：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MSD30P06	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：544.27 Kbytes Page：5 Pages	BWTECH	BWTECH
MTB30P06KFP	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：414.85 Kbytes Page：8 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

SW30P06TF供应商更多...

更新时间：2025-12-28 16:52:01

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SVH-21T-P1.1 连接器，互连器件矩形连接器 - 触头插口触点锡 18-22 AWG 压接
线规 - mm2：0.33~0.83 镀层厚度：- 产品类型：压线端子线规 - 连接器，互连器件矩形连接器 - 触头插口触点锡 18-22 AWG 压接
2021-6-11
SWD-109原装现货热卖
SWD-109门驱动器 Single Ch drvr Pos Volt Control
2021-2-3
SW-395TR
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2020-11-13
SV系列防翻板开关SV8F23SS-351/SV7F23SS-6G1
E-Switch防破坏开关具有紧凑的机身深度，可容纳有限的空间
2020-7-9
SW-329，PZ3128-S10，PZ3128-S10BP，Q0256I-1N，Q1029A，Q1083A，Q1154A，Q1650C-2N，Q2240I-1N，Q2334C-50N，Q3036I-16N，Q475G，Q5112C-1N，Q5114C-2N，Q5116I-1N，Q5160I-2SI，Q5161I-2S1
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2019-12-25
SVTR2805D全新进口原装正品
SVTR2812D 输入电压/V:15-50 输出功率/W:40 输出电压/V：±12 同步端:有使能端:有 SVTR2815D 输入电压/V:15-50 输出功率/W:40 输出电压/V：±15 同步端:有使能端:有 SVTR2805D 输入电压/V:15-50 输出功率/W:30 输出电压/V：±5 同步端:有使能端:有
2019-11-11