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超结MOS功率管

SILAN

士兰微

14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.55 Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy tested * Improved dv/dt capability, high ruggedness

UTC

友顺

14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

 FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.6Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness

UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.49Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

Drain Current ID= 14A@ TC=25C

文件:136.1 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:249.73 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

更新时间:2025-12-26 12:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SILAN(士兰微)
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TO-220F-3
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SILAN(士兰微电子)
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