位置：首页 > IC中文资料第4017页 > FDP14N60
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDP14N60 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.49Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 |   | |
14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.55 Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy tested * Improved dv/dt capability, high ruggedness | UTC 友顺 | | ||
14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.6Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness | UTC 友顺 | | ||
Drain Current ID= 14A@ TC=25C 文件：136.1 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：249.73 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | |
FDP14N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDP14N60
- 功能描述
MOSFET 14a 600V N-Ch SPMS 0.490 Ohm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-220 |
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