型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SUP70N06

70A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

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THINKISEMI

思祁半导体

N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S), 175\u0002C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:981.26 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

70 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 70N06 is n-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics, fast switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom and computer application. FEATURES * RDS(ON)

UTC

友顺

70 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

70A 60V N-CHANNEL MOSFET

文件:388.12 Kbytes Page:14 Pages

KIA

可易亚半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.27312 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUP70N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUP70N06

  • 功能描述

    MOSFET 60V 70A 142W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-26 19:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
N/A
21+
TO220
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Vishay
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VISHAY
23+
TO-220
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专做原装正品,假一罚百!
VISHAY
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TO-220
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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24+
TO-220
40
本站现库存
VISHAY
17+
TO-220
6200

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