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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262)

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

更新时间:2026-1-3 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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7350
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只做原装正品现货或订货假一赔十!
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100000
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VBsemi
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TO263
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ST/意法
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VBsemi(台湾微碧)
2447
TO-263
105000
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