型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STP60N06-14

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 0.012 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ VERY LOW RDS (on) ■ APPLICATION ORIENTED CHARA

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP60N06-14

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.76 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262)

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:276.03 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:979.18 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STP60N06-14产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP60N06-14

  • 功能描述

    MOSFET RO 511-STP60NE06-16 TO-220 N-CH 60V 60A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-16 19:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VBsemi
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