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P60N06-14

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262)

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.76 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-22 17:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
24+
TO-220
2500
原装现货热卖
PHI
2018+
DIP16
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