位置:首页 > IC中文资料第5365页 > SUM52N20

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =39mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

文件:85.72 Kbytes Page:6 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

200V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high e

FAIRCHILD

仙童半导体

200V N-Channel MOSFET

文件:684.2 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

200V N-Channel MOSFET

文件:684.2 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049廓

文件:1.17936 Mbytes Page:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049廓

文件:1.17936 Mbytes Page:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

SUM52N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUM52N20

  • 功能描述

    MOSFET 200V 52A 250W 39mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-24 23:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
24+
D2PAK(TO-263)
16800
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!?
VISHAY
2016+
TO263-2
5254
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
VISHAY
25+23+
TO263
72439
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
VISHAY/威世
22+
TO263-2
3000
原装正品,支持实单
VISHAY
24+
TO-263
5000
全新原装正品,现货销售
Vishay
26+
原厂原封装
86720
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百
VIS
23+
TO-263
10000
原装正品,假一罚十
VISHAY
24+
TO-263
8866
世谋微
SSOP-28; QFN4 ×4-32; LQFP-32
1000
VISHAY/威世
2447
TO263-2
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

SUM52N20数据表相关新闻