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SUM52N20-39P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =39mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SUM52N20-39P

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

文件:85.72 Kbytes Page:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SUM52N20-39P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUM52N20-39P

  • 功能描述

    MOSFET 200V 52A 250W 39mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-5 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原装正品,现货销售
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