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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
N-channel1500V-2.2廓-8A-TO-247VeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET 文件：151.31 Kbytes Page：9 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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製造商:STMicroelectronics 產品類型:MOSFET 技術:Si 安裝風格:ThroughHole 封裝/外殼:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數:1Channel Vds-漏-源擊穿電壓:950V Id-C連續漏極電流:9A RdsOn-漏-源電阻:1.25Ohms Vgs-閘極-源極電壓:-30V，+30V Vgsth-門源門限電壓:
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