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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
STW8N80	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW8N80	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 8.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
8N80	800V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC8N80 is an N-channel mode Power FET, it uses UTC’s advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and co	UTC 友顺	UTC
8N80	Drain Current ?밒D= 8A@ TC=25C 文件：154.36 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
8N80	8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：780.18 Kbytes Page：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
8N80	8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：779.27 Kbytes Page：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
8N80	8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：779.03 Kbytes Page：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH

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更新时间：2025-9-30 22:59:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市高捷芯城科技有限公司	STW8N90K5	ST(意法半导体)	24+	TO247	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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STWBC2-HP
無線充電IC Digital controller for wireless battery charger transmitters
2024-2-28
STWBC2-HP电能发射器
STMicroelectronics 的数字控制器专为帮助设计 Qi 认证的无线电力 TX 应用而设计
2023-5-4
STW69N65M5 其他被动元件
STW69N65M5 其他被动元件 ST/意法
2023-2-10
STW7N105K5 ST/意法半导体场效应管MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET
原装正品支持实单
2022-3-30
STW6N95K5
製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
2021-6-9
STW8Q14C
STW8Q14C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-15