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位置：首页 > IC中文资料第3577页 > FQA8N80

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA8N80

800V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=8.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.55Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

FQA8N80

800V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQA8N80

800V N-Channel MOSFET

文件：778.5 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80C

800V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80_06

800V N-Channel MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80_F109

800V N-Channel MOSFET

文件：778.5 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80C

800V N-Channel MOSFET

文件：792.91 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80C

800V N-Channel MOSFET

文件：791.39 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80C

800V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQA8N80C_06

800V N-Channel MOSFET

文件：791.39 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80C_07

800V N-Channel MOSFET

文件：792.91 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80C_F109

800V N-Channel MOSFET

文件：792.91 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA8N80C_F109

800V N-Channel MOSFET

文件：791.39 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

8N80

800V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION The UTC8N80 is an N-channel mode Power FET, it uses UTC’s advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and co

UTC

友顺

8N80

Drain Current ?밒D= 8A@ TC=25C

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ISC

无锡固电

8N80

8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：780.18 Kbytes Page：10 Pages

WXDH

东海半导体

8N80

8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：779.27 Kbytes Page：10 Pages

WXDH

东海半导体

8N80

8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：779.03 Kbytes Page：10 Pages

WXDH

东海半导体

FQA8N80产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA8N80

  • 功能描述

    MOSFET 800V N-Channel QFET Q-FET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FQA8N80供应商更多...

更新时间：2025-9-24 15:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
FQA8N80
onsemi(安森美)
24+
TO-3P
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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深圳市昌和盛利电子有限公司
FQA8N80
FSC
23+
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深圳市安富世纪电子有限公司
FQA8N80
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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FQA8N80(F109)
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
FQA8N80C
ON/安森美
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深圳市华斯顿科技有限公司
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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司
FQA8N80C
FSC
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18000
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深圳市一线半导体有限公司
FQA8N80
FAIRCHILD
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TO-3PN
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千层芯半导体(深圳)有限公司
FQA8N80C
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