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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ HIGH dV/dt RUGGEDNESS ■ APPLICATION ORIENTED | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.01Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization: | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization: | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Fast Switching Speed 文件：67.88 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.28925 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package 文件：1.40473 Mbytes Page：8 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | |
STW80N06产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW80N06
- 制造商
STMICROELECTRONICS
- 制造商全称
STMicroelectronics
- 功能描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STKOR |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ST |
01+ |
TO-247 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST |
24+ |
TO-247 |
1000 |
原装现货热卖 |
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ST |
2511 |
TO-247 |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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ST |
26+ |
TO-247 |
60000 |
只有原装 可配单 |
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ST |
23+ |
TO-3P |
1200 |
专做原装正品,假一罚百! |
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ST |
20+ |
TO-247 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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ST |
25+ |
标准封装 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
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ST |
NEW |
TO-247 |
8795 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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ST |
25+23+ |
TO247 |
13793 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
STW80N06规格书下载地址
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原装正品 支持实单
2022-3-30STW6N95K5
製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
2021-6-9STW8Q14C
STW8Q14C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-15
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