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BR80N06

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

BR80N06

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

BR80N06

MOSFET/场效应管

FOSHAN

蓝箭电子

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.28925 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-11-17 20:00:00
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