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STW65N65DM2AG | Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 廓 typ., 60 A Power MOSFET MDmesh??DM2 in a TO-247 package 文件：402.92 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STW65N65DM2AG | 汽车级N沟道650 V、42 mOhm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Automotive-grade N-channel 650 V, 42 m typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package Features • AEC-Q101 qualified • Fast-recovery body diode • Extremely low gate charge and input capacitance • Low on-resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastre | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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STW69N65M5 其他被动元件 ST/意法
2023-2-10STW7N105K5 ST/意法半导体 场效应管MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET
原装正品 支持实单
2022-3-30STW6N95K5
製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
2021-6-9STW48N60DM2
STW48N60DM2,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-25
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