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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STW38NB20 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=38A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.065Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STW38NB20 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STW38NB20 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STW38NB20产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW38NB20
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
PowerMESH™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
5400 |
|||||
ST |
26+ |
TO-247 |
8795 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
ST(意法) |
25+ |
5321 |
|||||
ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
SEOUL |
25+ |
0603 |
90000 |
全新原装现货 |
|||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
SEOUL |
24+ |
LED |
24000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
26+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
STW38NB20规格书下载地址
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2019-11-9
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