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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STW34NB20

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 34A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.075Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STW34NB20

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW34NB20

N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW34NB20

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

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N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET

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意法半导体

STW34NB20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW34NB20

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 200 Volt 34 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-8-3 18:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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TO-247
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