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W34NB20

N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

W34NB20

N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 34A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.075Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET

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意法半导体

W34NB20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    W34NB20

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET

更新时间:2026-3-16 0:30:00
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