| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field General Description The AO8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by it | AOSMD 万国半导体 |   | ||
INSULATED PC SPACERS/SUPPORTS 文件：100.21 Kbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：974.98 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
50V, 2A BOOST LED DRIVER 文件：275.37 Kbytes Page：15 Pages | DIODES 美台半导体 | | ||
High PSRR, 250mA CMOS LDO 文件：217.23 Kbytes Page：18 Pages | AME 安茂微电子 | |
更新时间：2025-12-26 19:04:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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AOS/万代 |
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TSSOP8 |
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