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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STT253

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK08

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK08BT

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK08BT

晶闸管-晶闸管模块

SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK12

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK12BT

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK12BT

晶闸管-晶闸管模块

SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK14

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK14BT

晶闸管-晶闸管模块

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矽莱克电子

STT253GK14BT

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GK16

Thyristor-Thyristor Modules

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矽莱克电子

STT253GK16BT

Thyristor-Thyristor Modules

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矽莱克电子

STT253GK18

Thyristor-Thyristor Modules

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STT253GK18BT

Thyristor-Thyristor Modules

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矽莱克电子

STT253GK20BT

Thyristor-Thyristor Modules

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矽莱克电子

STT253GK22BT

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

STT253GKXXBT

Thyristor-Thyristor Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

MJE253

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

These devices are designed for low power audio amplifier and low−current, high−speed switching applications. Features • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) • High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc hFE = 40−200

ONSEMI

安森美半导体

MJE253

4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 15 WATTS

Complementary Silicon Power Plastic Transistors . . . designed for low power audio amplifier and low–current, high–speed switching applications. • High Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — MJE243, MJE253 • High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc

MOTOROLA

摩托罗拉

NTE253

Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

Description: The NTE253 (NPN) and NTE254 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO126 type case designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. Features: • High DC Current Gain: hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2A • Monolithic Construction wit

NTE

TIC253M

SILICON TRIACS

● High Current Triacs ● 20 A RMS ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● 150 A Peak Current ● Max IGTof 50 mA (Quadrants 1 - 3)

POINN

TIC253N

SILICON TRIACS

● High Current Triacs ● 20 A RMS ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● 150 A Peak Current ● Max IGTof 50 mA (Quadrants 1 - 3)

POINN

STT253产品属性

  • 类型

    描述

  • ITVM(A)：

    253

  • IT@TC(°C)：

    85

  • VDRM/VRRM(V)：

    800

  • ITSM 45°C/10ms(A)：

    9000

  • VTO(V)：

    0.925

  • rT(mΩ)：

    0.45

  • dv/dt(V/μs)：

    1000

  • TVJM(°C)：

    130

  • RthJC per chip(K/W)：

    0.14

  • 封装外形：

    Fig. 35

STT253供应商更多...

更新时间：2026-7-22 22:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
STT253GK12
SIRECTIFIER
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
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浙江永芯科技有限公司
STT253GK22BT
Sirectifier
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
STT253GK18
SIRECTIFIER
23+
MODULE
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价

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