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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STS9P3LLH6 | Very low on-resistance 文件：602.01 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
P-channel -30 V, 12 m廓 typ., -9 A STripFET??H6 Power MOSFET in a PowerFLAT??3.3x3.3 package Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-8-18 18:16:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
25+ |
SO-8 |
20300 |
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ST/意法半导体 |
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