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STL9P3LLH6

P-channel -30 V, 12 m廓 typ., -9 A STripFET??H6 Power MOSFET in a PowerFLAT??3.3x3.3 package

Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features  Very low on-resistance  Very low gate charge  High avalanche ruggedness 

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL9P3LLH6

P沟道-30 V、12 mOhm典型值、-9 A STripFET H6功率MOSFET,PowerFLAT 3.3 x 3.3封装

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意法半导体

Very low on-resistance

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意法半导体

更新时间:2025-10-2 11:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
24+
PowerFLAT-3.3x3.3-8
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PowerFLAT-3.3x3.3-8
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原厂原装,假一罚十
ST
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8PowerVDFN
9000
原厂渠道,现货配单

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