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STPSC8H065BY-TR

Automotive 650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode

Features • AEC-Q101 qualified • No reverse recovery charge in application current range • Switching behavior independent of temperature • Recommended to PFC applications • PPAP capable • VRRM guaranteed from -40 to 175 °C • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. (with

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意法半导体

STPSC8H065BY-TR

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:AUTOMOTIVE 650 V POWER SCHOTTKY 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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650 V power Schottky silicon carbide diode

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High forward surge capability

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latch circuit

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谏早电子

更新时间:2025-11-21 12:00:00
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