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STP80N03L-06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ HIGH dV/dt RUGGEDNESS ■ APPLICATION ORIENTED

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP80N03L-06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STP80N03L-06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP80N03L-06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP80N03L-06

  • 制造商

    STMicroelectronics

更新时间:2025-9-29 17:31:00
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