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N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,87A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,87A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

FastSwitchingSpeed

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:1.27408 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-24 17:24:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
23+
TO-220
3000
全新原装
VBsemi
21+
TO220
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VB
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2023+
TO220F
58000
进口原装,现货热卖
ON/进口原
17+
TO-220
6200
ON
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VBSEMI/台湾微碧
24+23+
TO220
12580
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品

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