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位置：首页 > IC中文资料第1239页 > STP5N120

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STP5N120

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STP5N120

N-channel1200V-2.8廓-4.4A-TO-220Zener-protectedSuperMESHTMPowerMOSFET

文件：186.55 Kbytes Page：10 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
5N120

5A,1200VN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC5N120provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge andoperationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor useasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES0 *RDS(ON)≤3.1Ω@VGS=10V,ID=2.5A *LowReverseTransferCapacitance *FastSwitchingCapabilit

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
5N120BND

21A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTswithAnti-ParallelHyperfastDiodes

TheHGTG5N120BNDandHGTP5N120BNDareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
5N120BND

21A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTswithAnti-ParallelHyperfastDiodes

TheHGTG5N120BN,HGTP5N120BND,andHGT1S5N120BNDSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
HGTG5N120BND

21A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTswithAnti-ParallelHyperfastDiodes

TheHGTG5N120BNDandHGTP5N120BNDareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGTG5N120BND

21A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTswithAnti-ParallelHyperfastDiodes

TheHGTG5N120BN,HGTP5N120BND,andHGT1S5N120BNDSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

Intersil

Intersil Corporation

Intersil

STP5N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP5N120

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch, 1200V-2.8ohms 4.4A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STP5N120供应商更多...

更新时间：2024-9-24 15:00:00
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