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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 3.1 Ω ■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■ GATE CHARGE MINIMIZED ■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD APPLICATIONS ■ HIGH CURRE

STMICROELECTRONICS

意法半导体

900V N-Channel MOSFET

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更新时间:2025-12-25 23:01:01
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