| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
60V N-Channel Power Mosfet Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Switching Low ON Resistance(Rdson≤29mΩ) Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances 100 Single Pulse avalanche energy Test | UMW 友台半导体 |   | ||
60V N-Channel Power Mosfet General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Swit | EVVOSEMI 翊欧 | | ||
60V N-Channel Trench MOSFET 文件：812.36 Kbytes Page：8 Pages | SEMIHOW | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：973.99 Kbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.44 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-251 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2-L |
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国产 |
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TO-3PN |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-3P |
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|||
CJ/长电 |
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TO-252 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
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VBsemi/台湾微碧 |
22+ |
TO-252 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
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友台UMW |
25+ |
DIP |
2500 |
国产替换现货降本 |
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UMW(广东友台半导体) |
20+ |
TO-252-2 |
2500 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
9800000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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