| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.28Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.2 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW INPUT CAPACITANCE ■ LOW GATE CHARGE ■ LOW LEAKAGE CURRENT ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PA | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
15A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：151.37 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：151.97 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：578.9 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
TO-263 |
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