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STP13NM50N数据表
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: N
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 320 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
系列: STB13N
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 330 mg
