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N-channel 100 V, 0.0034 Ω typ., 110 A, STripFET™ F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

Features • 100 avalanche tested • Ultra low on-resistance Applications • Switching applications Description This N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal ca

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-1-1 8:38:01
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