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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STP08IE120F4 | EmitterSwitchedBipolarTransistorESBT1200V-8A-0.10ohm Description TheSTP08IE120F4ismanufacturedinMonolithicESBTTechnology,aimedtoprovidebestperformancesinhighfrequency/highvoltageapplications. ItisdesignedforuseinGateDrivenbasedtopologies. Generalfeatures ■Highvoltage/highcurrentCascodeconfiguration ■Lowequi | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | ||
STP08IE120F4 | 封装/外壳:TO-220-4 整包 包装:卷带(TR) 描述:TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | ||
EmitterSwitchedBipolarTransistorESBT1200V-8A-0.10ohm Description TheSTP08IE120F4ismanufacturedinMonolithicESBTTechnology,aimedtoprovidebestperformancesinhighfrequency/highvoltageapplications. ItisdesignedforuseinGateDrivenbasedtopologies. Generalfeatures ■Highvoltage/highcurrentCascodeconfiguration ■Lowequi | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 |
STP08IE120F4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP08IE120F4
- 功能描述
IGBT 晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SAMSUNG/三星 |
19+ |
BGA |
17875 |
进口原装现货 |
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G-NiceRF(思为无线) |
23+ |
SMD,8.72x9mm |
8215 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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ST |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ST原装 |
19+ |
TO-220 |
9860 |
一级代理 |
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G-NiceRF(思为无线) |
23+ |
SMD,8.72x9mm |
6000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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ST |
原厂原封 |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
ST |
23+ |
TO-220 |
8000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ST全系列 |
22+23+ |
TO-220 |
26283 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST/意法 |
TO-220 |
265209 |
假一罚十,原包原标签,常备现货 |
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TAI-TECH |
24+25+/26+27+ |
车规-被动器件 |
76800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
STP08IE120F4规格书下载地址
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