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STP08IE120F4

EmitterSwitchedBipolarTransistorESBT1200V-8A-0.10ohm

Description TheSTP08IE120F4ismanufacturedinMonolithicESBTTechnology,aimedtoprovidebestperformancesinhighfrequency/highvoltageapplications. ItisdesignedforuseinGateDrivenbasedtopologies. Generalfeatures ■Highvoltage/highcurrentCascodeconfiguration ■Lowequi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
STP08IE120F4

封装/外壳:TO-220-4 整包 包装:卷带(TR) 描述:TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途

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EmitterSwitchedBipolarTransistorESBT1200V-8A-0.10ohm

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STP08IE120F4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP08IE120F4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-8 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
19+
BGA
17875
进口原装现货
G-NiceRF(思为无线)
23+
SMD,8.72x9mm
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一级代理
G-NiceRF(思为无线)
23+
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专做原装正品,假一罚百!
ST全系列
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TO-220
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绝对原装正品全新进口深圳现货
ST/意法
TO-220
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假一罚十,原包原标签,常备现货
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24+25+/26+27+
车规-被动器件
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

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