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STP08IE120F4中文资料

厂家型号

STP08IE120F4

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11

功能描述

Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1200 V - 8A - 0.10 ohm

IGBT 晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STP08IE120F4数据手册规格书PDF详情

Description

The STP08IE120F4 is manufactured in Monolithic ESBT Technology, aimed to provide best performances in high frequency / high voltage applications.

It is designed for use in Gate Driven based topologies.

General features

■ High voltage / high current Cascode configuration

■ Low equivalent on resistance

■ very fast-switch up to 150 kHz

■ Squared RBSOA up to 1200V

■ Very low Ciss driven by RG = 47Ω

■ Very low turn-off cross over time

Applications

■ Aux SMPS for three phase mains

STP08IE120F4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP08IE120F4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-6 16:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
25+
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