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STL8N6F7

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL8N6F7

N沟道60 V、0.019 Ohm典型值、8 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 3.3x3.3封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-29 20:00:00
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