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Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mΩ typ., 18 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 DI

Features  AEC-Q101 qualified  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness  Wettable flank package Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-27 23:01:01
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