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STL38DN6F7AG

Automotive-grade N-channel 60 V, 24 m typ., 10 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package

Features • AEC-Q101 qualified • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL38DN6F7AG

汽车级双路N沟道60 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双岛封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-30 23:01:00
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