STL260N3LLH6-CUTTAPE价格

参考价格:¥6.6967

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Very low gate charge

Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features • Very low on-resistance RDS(on) • Very low gate charge • High avalanche ruggednes

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-16 20:00:02
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