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Lowgateinputresistance

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETbasedontheMDmeshM5innovativeverticalprocesstechnologycombinedwiththewell-knownPowerMESHhorizontallayout.Theresultingproductoffersextremelylowon-resistance,makingitparticularlysuitableforapplicationsrequiringhighpo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-5-21 22:30:01
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