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STL220NS6F7

N-channel 60 V, 1.4 mΩ typ., 250 A STripFET™ F7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT™ 5x6

Features  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent figure of merit (FoM)  Embedded Schottky diode  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Applications  Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technol

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-16 23:01:00
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