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N-channel30V,0.0011廓,35APowerFLAT??5x6STripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFET

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET™DeepGATE™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-5-21 22:58:01
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