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N-channel 600 V, 0.389 廓 typ., 7 A MDmesh??M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 HV package

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意法半导体

N沟道600 V、0.389 Ohm典型值、7 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 HV封装

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意法半导体

Extremely low gate charge

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意法半导体

Extremely low gate charge

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意法半导体

Extremely low gate charge

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意法半导体

N-channel 600 V, 0.340 廓 typ., 11 A MDmesh??M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package

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更新时间:2025-12-16 15:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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