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STL120N10F8

N‑channel enhancement mode standard level 100 V, 4.6 mΩ max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

Features • MSL1 grade • 175 °C operating temperature • 100 avalanche tested Applications • Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures very low on-state resistance while reducing

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL120N10F8

N-沟道增强模式标准级100V,最高4.6mohm,125A STripFET F8功率MOSFET(采用PowerFLAT 5x6封装)

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-9-29 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
54000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
22+
PowerFLAT5x6
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ST/意法
14+
PowerFLAT5x6
3000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
STM
23+
DFN5X6
50000
只做原装正品
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原厂封装
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