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STI20NM65N

Lowgateinputresistance

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-channel650V,0.250廓,15ATO-220,TO-220FPsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs realizedusingthesecondgenerationMDmesh™ technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFET ass

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N-channel650V,15A,0.250廓typ.,MDmesh??IIPowerMOSFETinaI짼PAKFPpackage

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更新时间:2024-9-22 17:10:00
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