型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB20NM65N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STB20NM65N

Low gate input resistance

文件:573.92 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 650 V, 0.250 廓, 15 A TO-220, TO-220FP second generation MDmesh??Power MOSFET

Features ■ 100 avalanche tested ■ Low input capacitance and gate charge ■ Low gate input resistance Application ■ Switching applications Description These devices are N-channel Power MOSFETs realized using the second generation MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET ass

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Low gate input resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB20NM65N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB20NM65N

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-9 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
1725
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
S
22+
D2PAK
25000
只做原装进口现货,专注配单
TO-263
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
ST
23+
TO-263
8795
ST
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
TAIKO
1736+
RELAY
8529
专营继电器只做原装正品假一赔十!
ST/意法
23+
TO-263
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ST
1708+
?
7500
只做原装进口,假一罚十
ST/意法
20+
TO-263
32500
现货很近!原厂很远!只做原装

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