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STH2N120K5-2AG

Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 typ., 1.5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 package

Features • AEC-Q101 qualified • Industry’s lowest RDS(on) x area • Industry’s best FoM (figure of merit) • Ultra-low gate charge • 100 avalanche tested Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vert

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STH2N120K5-2AG

汽车级N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,H2PAK-2封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-14 17:01:00
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