位置：首页 > IC中文资料 > STH2N120K5-2AG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STH2N120K5-2AG | Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 typ., 1.5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 package Features • AEC-Q101 qualified • Industry’s lowest RDS(on) x area • Industry’s best FoM (figure of merit) • Ultra-low gate charge • 100 avalanche tested Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vert | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STH2N120K5-2AG | 汽车级N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-10-11 8:54:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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