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STH170N8F7-2

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STH170N8F7-2

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

STH170N8F7-2

N沟道80 V、0.0028 Ohm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-14 17:25:00
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